• Diaky: struktura, charakteristiky, požití
  • Tyristory: struktura, princip činnosti, základní stavy, způsoby spínání, VA-charakteristiky
  • Tyristor ve střídavém a stejnosměrném obvodu, řízené usměrňovače
  • Triaky: princip činnosti, charakteristiky, řízení
  • IGBT: princip činnosti

1. Tyristor

  • Tyristor je čtyřvrstvá polovodičová spínací součástka se strukturou PNPN, vybavená třemi elektrodami: anodou (A), katodou (K) a řídicí elektrodou (G). Na rozdíl od triaku se jedná o jednosměrnou součástku, která propouští elektrický proud pouze ve směru od anody ke katodě, a to za předpokladu, že je anoda kladná vůči katodě.

  • V klidovém (blokovacím) stavu tyristor nevede elektrický proud. K přechodu do vodivého stavu dochází přivedením proudového impulzu do řídicí elektrody. Tento proces je lavino-vitý a vede k rychlému sepnutí s minimálním úbytkem napětí na přechodu. Charakteristickou vlastností tyristoru je jeho bistabilní chování; po iniciaci sepnutí zůstává součástka ve vodivém stavu i po zániku řídicího signálu.

  • Návrat do nevodivého stavu nastává samovolně v okamžiku, kdy hodnota anodového proudu klesne pod úroveň tzv. přídržného proudu (), nebo dojde-li k přepólování napětí na hlavních elektrodách (komutaci). V technické praxi se tyristory využívají především v řízených usměrňovačích, střídačích, pro regulaci výkonu stejnosměrných motorů a v obvodech pro bez-kontaktní spínání vysokých výkonů.

center

Schéma tyristoru

center

Struktura tyristoru

center

Alternativní schéma tyristoru za použití tranzistorů

2. Diak

  • Diak je polovodičová součástka tvořená dvěma PN přechody, která se vyznačuje symetrickým chováním – její funkce je nezávislá na polaritě přiloženého napětí.

  • Při nízkém napětí je diak v nevodivém stavu a prochází jím pouze zanedbatelný proud. Jakmile napětí dosáhne průrazného (spínacího) napětí, obvykle v rozmezí 24–48 V, dojde k prudkému přechodu do vodivého stavu, přičemž jeho dynamický odpor výrazně klesne.

  • Po sepnutí zůstává diak vodivý až do okamžiku, kdy proud klesne pod tzv. držící proud, po jehož dosažení se součástka opět uzavře a přejde zpět do nevodivého stavu.

center

Schéma diaku

center

Charakteristika diaku

2.1 Schéma použití diaku

center

Schéma zapojení
  • Zapojení představuje fázové řízení výkonu střídavého napětí pomocí triaku řízeného přes diak. Kondenzátor C se v každé půlvlně síťového napětí nabíjí přes rezistory a , čímž se vytváří časové zpoždění. Po dosažení průrazného napětí diaku dojde k jeho sepnutí a k přivedení řídicího impulzu na řídicí elektrodu triaku, který se následně sepne.

  • Triak zůstává vodivý po zbytek půlvlny, dokud proud neklesne pod držící hodnotu. Změnou odporu Rg se upravuje doba nabíjení kondenzátoru, a tím i okamžik sepnutí triaku, což umožňuje plynulou regulaci dodaného výkonu do zátěže.


3. Triak

  • Triak je tříelektrodová polovodičová součástka určená pro řízení střídavého proudu, kterou lze považovat za dva tyristory zapojené antiparalelně s jednou společnou řídicí elektrodou. Jeho funkce je nezávislá na polaritě přiloženého napětí mezi hlavními elektrodami.
  • V klidovém stavu je triak nevodivý. Po přivedení řídicího impulzu na řídicí elektrodu dojde k jeho sepnutí a přechodu do vodivého stavu s nízkým úbytkem napětí. Po sepnutí zůstává triak vodivý až do okamžiku, kdy proud klesne pod držící proud, typicky při průchodu napětí nulou.
  • Triaky se běžně používají ve fázových regulátorech výkonu, například pro regulaci osvětlení, otáček motorů nebo výkonu topných těles.

center

Schéma triaku, alternativní schéma za použití tyristorů

center

Charakteristika triaku

4. IGBT

  • IGBT (Insulated-Gate Bipolar Tranzistor) je hybridní polovodičová spínací součástka, která kombinuje výhody unipolárního tranzistoru řízeného elektrickým polem (MOSFET) na vstupu a bipolárního tranzistoru (BJT) na výstupu. Součástka disponuje třemi elektrodami: kolektorem (C), emitorem (E) a izolovanou řídicí elektrodou (G).

  • Funkce IGBT je založena na napěťovém řízení. V nevodivém stavu je odpor mezi kolektorem a emitorem velmi vysoký. K sepnutí dochází přivedením kladného napětí na řídicí elektrodu vůči emitoru. Jakmile řídicí napětí překročí prahovou hodnotu (), otevře se vodivý kanál a tranzistor přejde do stavu nasycení s nízkým úbytkem napětí. Díky izolované hradlové elektrodě vyžaduje IGBT, podobně jako MOSFET, jen minimální řídicí výkon.

  • Na rozdíl od tyristoru nebo triaku je IGBT plně řiditelná součástka (turn-off device). To znamená, že jej lze kdykoliv vypnout odebráním řídicího napětí na hradle, aniž by bylo nutné čekat na pokles kolektorového proudu k nule.

  • IGBT tranzistory jsou klíčovými prvky ve výkonové elektronice pro aplikace se středním a vysokým výkonem a spínacími frekvencemi v řádu desítek kilohertzů. Typické využití zahrnuje frekvenční měniče pro řízení asynchronních motorů (např. v elektromobilech nebo průmyslových pohonech), střídače ve fotovoltaických elektrárnách, zdroje nepřerušovaného napájení (UPS) a svářečky.

center

Charakteristika triaku

center

Výstupní a převodní charakteristika IGBT tranzistoru